首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
經超精密鏡面研磨加工的表面粗糙度可達到 Ra 0.1µm。. 直線度達到 25 µm (0.0010″)。. 同心度達到 50 µm (0.002″)。. 全面的品質控制流程，從材料採購到生產成品出貨，每個程序
了解更多
2024年4月16日 研磨是將研磨工具 (以下簡稱研具)表面嵌人磨料或敷塗磨料並添加潤滑劑,在一定的壓力作用下，使工件和研具接觸並做相對運動，通過磨料作用，從工件表面切去一
了解更多
2022年5月12日 研磨是將研磨工具(以下簡稱研具)表面嵌人磨料或敷塗磨料並添加潤滑劑,在一定的壓力作用下，使工件和研具接觸並做相對運動，通過磨料作用，從工件表面切去一
了解更多
2012年7月9日 研磨拋光 (Polishing or Lapping) 是使工件產生平滑鏡面的超精密研磨技術，其目的在於使表面粗糙度及平坦度到達一定的可容許範圍，常被廣泛的使用在硬脆金屬、陶瓷、玻璃及 晶圓等材料表面的精密加
了解更多
無心研磨的優點及適合應用： 1. 上下料快，不需每次對刀可連續加工。 2. 砂輪寬、研削距離長，工件夾持較穩定，單次的切削量大。 3. 工件的轉速及送速快。 4. 三點支撐，由直徑方向進刀，誤差值較小。
了解更多
一般研磨 (Wafer thining/Non-Taiko Grinding)流程 依照客戶晶圓特性，與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶後，進行膠帶貼附 (Taping)；接著，進行一般研磨 (Non
了解更多
4 天之前 主要用砂輪旋轉研磨工件以使其可達到要求的平整度，根據 工作檯 形狀可分為矩形工作檯和圓形工作檯兩種，矩形工作檯平面磨床的主參數為工作檯寬度及長度，圓形工作檯的主參數為工作檯面直徑。 根據軸類
了解更多
50万-100万. 100万+. 更多选项（产地 厂商性质 办事机构） 排序方式. 价格. 本专场共 1 台平衡研磨台. 平衡研磨台. 品牌： 型号：ZB-M0700. 产地：国产. 参考报价： 可面议 -可面
了解更多
本發明揭示一種用於更換使用於研磨晶圓等基板之研磨裝置的研磨台之裝置。研磨台更換裝置(10)係用於從研磨裝置(1)取出研磨台(3)之裝置。該研磨台更換裝置(10)具備：使研磨台(3)
了解更多
2020年9月15日 进行研磨的目的包括： 增加对象物质的表面积 制造所需尺寸的颗粒 把物质研成浆状 提高物质表面光洁度，达到生产和应用的要求 参见 [编辑] 三滚筒研磨机 参考文
了解更多
2022年1月12日 40.综上所述：该药学用研磨装置，通过设置可以升降的研磨台4对药片进行支撑，能够便于使用者将药沫快速清理，而滑动结构能够对研磨台4 进行有效传动，解决了现有的研磨装置不便于使用者进行取料清理，严重影响了药物研磨效率，无法满足 ...
了解更多
2018年7月6日 本論文首先分析各種不同的研磨機制，而後並對現有的研磨方程式加以修正以符合實際的研磨數據，並以面向上 (Face-up)研磨機台的架構為主，建立合理的研磨方程式，提出雙轉速的研磨方式配合最佳化理論並對化學機械研磨 (CMP)的主要參數，壓力、轉速
了解更多
修整完畢接著開始研磨工件，並隨時利用CCD 數位 影像量測設備監控砂輪與磨輪，若達到修整的標準，即開始修整的工作依序循環，如圖2 所示。 2.1 修整運動 本研究對成形砂輪的修整方法，乃是利用裝置在 旋轉修整器上的鑽石磨輪及鑽石頭，來對砂輪輪廓進
了解更多
管件14将液泵16所泵入的研浆15持续不断地供应到研磨垫13上。. 所以，化学机械研磨程序就是利用研浆15中的化学助剂，在晶片12的正面20上产生化学反应，使之形成一易研磨层，再配合晶片12在研磨垫13上借助研浆15中的研磨粒 (abrasiveparticles)的辅助进行机械研磨 ...
了解更多
表面形成機制規劃一套系統化的研究方法，磨削將機制分成粗磨與精 磨兩部份進行討論。在粗磨部份以連續往下進給至穩定磨削狀態之 Plunge grinding 進行分析，建立其表面粗糙度之預測模式，並分析機 台結構對Plunge grinding 的影響。而在精磨方面，探討機台
了解更多
CMP工藝原理是利用研磨頭對晶圓施加機械力,藉助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現晶圓全局平坦化。. 其工作原理是,旋轉的研磨頭以一定的壓力將晶圓壓在旋轉的研磨墊上,通過研磨墊的旋轉使研磨液均勻分布於研磨墊上,在晶圓和研磨墊之間形成一 ...
了解更多
Camfil的打磨台可處理粗顆粒和火花，以及使用電動工具手動打磨應用產生的粉塵和煙霧。. 研磨台這樣的工作場所繫統，可輕鬆連接到中央排氣系統，根據排放的類型，將工藝廢氣引至粉塵收集器進行清潔或在允許的情況下通過管道輸送到大氣中。. 因此，系統可 ...
了解更多
台架、第一斜架以及第二斜架底部由支架支撑，从而在台架下方形成用于线缆的走线空间。进一步地，台架的顶部台面、第一斜架和第二斜架的斜坡由花纹钢板制成。进一步地，支架为方管型材，与台架的台面、第一斜架和第二斜架的斜坡焊接。本实用新型的优点
了解更多
2 天之前 研磨是將研磨工具 (以下簡稱研具)表面嵌人磨料或敷塗磨料並添加潤滑劑,在一定的壓力作用下，使工件和研具接觸並做相對運動，通過磨料作用，從工件表面切去一層極薄的切屑，使工件具有精確的尺寸、準確的幾何形狀和很高的表面粗糙度，這種對工件表面 ...
了解更多
2024年2月15日 本发明公开了一种高精密研磨盘类零件内支撑台 的装置及研磨方法，本发明涉及研磨盘类零件的内支撑台端面的技术领域，它包括焊接于工作台内的直筒、一体成型于直筒顶部的防护筒，驱动电机的输出轴伸入于直筒内，且延伸端上连接有主轴 ...
了解更多
2021年3月19日 8.如权利要求6所述的cmp机台的研磨结构，其特征在于：当晶圆研磨结束时，通过对研磨盘及研磨垫引入气流，能使晶圆与研磨垫的研磨液迅速排出，晶圆与研磨垫之间充满空气而方便晶圆与研磨垫迅速分离，提高效率，减少对晶圆的应力。技术总结
了解更多
咖啡研磨剩下來的渣渣可否當肥料！可以的話要怎麼使用！ 咖啡渣是可以自製有機肥的材料，只要在陽光下曬上一個星期，再均勻拌入培養土，大約是1(咖啡渣):5(培養土)的比率攪拌，其就是簡易的 氮肥，比較適合在枝葉即將長出時使用。 咖啡渣是屬於鹼性的，肥料的性質都是較屬於酸性，雖然在 ...
了解更多
2020年3月30日 基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經過適當的清洗（Cleaning）之後，送到熱爐管（Furnace）內，在含氧的環境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數百個的二氧化矽層，緊接著厚約1000-2000的氮化矽層將以化學氣相沈積Chemical Vapor Deposition；CVP ...
了解更多
利用研磨輪，進行快速而精密之研磨 (Grinding) 後，再去除因研磨產生的破壞層，並釋放應力。 ProPowertek 宜錦能為您做什麼？ 完整的BGBM製程，第一步是晶圓薄化，在研磨 (Grinding) 及蝕刻後，可為客戶提供厚度達到僅100um的厚度，並且移除破壞層，並且降低應
了解更多
電子與材料第7 期88. 銅化學機械研磨 製程及研磨液簡介. 李宗和. 長興化工公司 半導體材料專案組副召集人 CMP技術組主任研究員. 前言. 隨著半導體工業的快速發展，元件 運算速度成為各家所追求的目標。. 進入 深次微米元件領域，金屬連接線所造成 的RC延遲 ...
了解更多
2019年3月21日 砂磨機線速度過高的弊端如下：. A、線速度越高，發熱越大，機器升溫越快，而大多數物料是有溫度限制的。. B、線速度越高，對砂磨機研磨介質的衝擊越大，所配的研磨介質很可能因此而破碎。. C、線速度越高，對機器造成的損傷越大，零件磨損加劇，對
了解更多
2016年10月9日 線切割不會明顯改善翹曲，但是切割時矽的損耗顯著減小，同時損傷深度減小。這進一步反饋到後續工藝，減小了顆粒產生、殘餘損傷引起的位錯形成、矽片破裂等可能性[5]。矽切片的損傷層深度直接受晶體切割工藝影響，並影響著後續的晶片研磨工序的去除
了解更多
無心研磨 (Centerless Grinding) ，是外圓研磨的一種。. 因為不是用頂心來夾持工件，所以稱為無心研磨。. 作動方式是透過砂輪進行磨削，改變工件的尺寸精度，並以調整輪控制進刀量、工件的旋轉及通過速度。. 研磨時，砂輪為高速旋轉，同時間調整輪以較慢速度 ...
了解更多
台架、第一斜架以及第二斜架底部由支架支撑，从而在台架下方形成用于线缆的走线空间。进一步地，台架的顶部台面、第一斜架和第二斜架的斜坡由花纹钢板制成。进一步地，支架为方管型材，与台架的台面、第一斜架和第二斜架的斜坡焊接。本发明的优点
了解更多