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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年3月11日 CVD法是一种常用的化学气相沉积技术，通过将硅源和碳源气体在高温条件下分解反应生成SiC粉末。 而自蔓延合成法则是一种基于化学反应热的合成方法，通过点
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2023年10月27日 目前液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成高纯的 SiC 粉体，其制备过程是将无机盐或醇盐溶于溶剂( 水或醇) 中形成均匀溶液，得到均匀的溶胶，经过干燥或脱水转
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2009年6月6日 【摘要】：碳化硅颗粒具有耐磨、耐腐蚀、高强度、高硬度以及成本低廉等优点,是 5, 张锐,高濂,郭景坤非均相沉淀制备Cu包裹纳米SiC复合粉体颗粒[J]无机材料学
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碳化硅粉体主要类型有：碳化硅陶瓷件超高纯粉体、第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体（包括导电型和半绝缘型），还有热管理材料导热填料。
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2021年2月25日 标签 碳化硅 表面改性 陶瓷 包覆 化学改性. [导读] 通过表面改性，可以改善SiC粉体的分散性、流动性、消除团聚、提高碳化硅超细粉体成型性能以及制品最终性能
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2024年1月10日 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括
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铜包覆碳化硅复合粉体材料的制备及表征. 来自 掌桥科研. 喜欢 0. 阅读量： 126. 作者： 汪玉洁 ， 谢克难 ， 廖立 ， 黄炳光 ， 解然 ， 王茵 ， 张星和. 摘要： 选用平均粒径约
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2023年11月23日 1、碳化硅粉体物理改性 物理改性是指改性剂与粉体颗粒以物理化学的作用相结合，以改变原始粉体表面的物理化学性质，如表面成分、结构、官能团、润湿性和反
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以铜氨离子为铜源,水合肼为还原剂,在表面预氧化的SiC表面,采用一步原位化学沉积法制备了均匀包裹Cu颗粒的SiC复合粉体.采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)、傅立叶
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2021年6月23日 电力电子元器件. 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC。 碳化硅粉体具有高温强度、耐磨性、耐腐蚀性、高热导、高绝缘性等性能， 碳化硅粉体的应用方向主要
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2023年11月23日 2、碳化硅粉体化学改性方法. 化学改性是指利用有机物分子中的官能团与无机颗粒表面发生化学吸附或通过与颗粒表面发生化学键合反应对颗粒表面进行包覆，使颗粒表面有机化。. 根据改性的手段和效果可以将化学改性方法分为：表面酸洗提纯、表面吸附 ...
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2 天之前 8、将初步包覆碳化硅粉体在氢气还原气氛中加热还原处理，冷却过筛后，即得双镀层cu-ti5si3/ti-sic粉 体颗粒。9、作为本发明所述制备方法的一种优选方案，其中：所述将碳化硅颗粒进行表面粗化处理，包括，10、在室温下将碳化硅颗粒加入1～2.5mol ...
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2021年2月25日 为什么需要表面改性. 据中国粉体网编辑了解，由于纳米级 碳化硅粉 体在超细粉碎的过程中，会受到不停地摩擦、冲击作用，一方面导致微粉的表面积累了大量的正负电荷，而这些带电粒子极其地不稳定，为了趋于稳定，它们会相互吸引进而团聚在一起。. 另一
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从粉体到结构件，看碳化硅陶瓷的实际应用. 碳化硅陶瓷（silicon carbide ceramic），它具有化学性能稳定、耐高温、耐磨损、耐腐蚀、导热系数高、热膨胀系数小、密度小、机械强度高等优点，广泛应用于化工机械、能源环保、半导体、冶金、国防军工等领域。. 为 ...
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2024年3月11日 绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导热填料。
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覆Cu碳化硅粉 2020-04-17T08:04:00+00:00 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎 2021年6月11日 SiC 粉体： 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长 ...
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2023年8月8日 3、绿碳化硅微粉用于制造高级耐火材料；适用于高熔点合金精密铸造壳体中第一层衬材。 4、适用于各种室外建筑物体的外墙涂料，各种有色金属物体的涂覆，各种尾气治理等等。
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2023年9月22日 高体分铝碳化硅为第三代半导体封装材料，已率先实现电子封装材料的规模产业化，满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。. 尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用 ...
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以铜氨离子为铜源,水合肼为还原剂,在表面预氧化的SiC表面,采用一步原位化学沉积法制备了均匀包裹Cu颗粒的SiC复合粉体.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、Zeta电位等测试表征手段研究了工艺条件对原位沉积反应的影响.研究发现SiC表面预氧化形成的SiO2层能显著增强对铜 ...
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选用平均粒径约为50～100μm的碳化硅颗粒作为基料,以水合联氨为还原剂,氨水为络合剂,利用非均相成核法制备铜包覆碳化硅复合粉体材料,在温度为83℃时得到了分散效果较好的复合粉体,采用XRD,SEM,EDS对复合粉体进行了表征,结果表明,制备的铜微晶粒径为100nm左右 ...
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2022年2月22日 产品详情. 产品分类：碳化硅微粉（黑微粉和绿微粉）. 金蒙新材料公司采用干法、湿法、干湿相结合的方法生产碳化硅微粉,根据不同的碳化硅用途以适用于不同产品的不同需求。. 生产工艺：金蒙新材料（原金蒙 碳化硅 ）生产的碳化硅微粉是指碳化硅原块在 ...
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2022年6月17日 图 AMB氮化硅覆铜板制备工艺流程图 首先将Ag、Cu、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，采用丝网印刷技术将Ag-Cu-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上，再利用热压技术将铜箔层压在焊料上，最后通过烧结、光刻、蚀刻及镀Ni工艺制备出符合要求
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2024年1月10日 半导体. 制造工艺. 碳化硅. 高纯SiC粉料合成方法目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。. 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和四氯化硅等，C源一般选用四氯化碳、.
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2022年6月17日 金属表面晶体发生单独的离面位移导致金属表面粗糙化的现象，被称为“橘皮现象”。. 大量文献表明，Si3N4-AMB覆铜基板在温度冲击过程中会产生明显的“橘皮现象”，该现象与铜层的剥离、裂纹等缺陷有直接关系。. 随着冷热冲击次数的增加，铜和氮化硅之间的
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对碳化硅表面进行化学镀镍,研究了镀液的 pH 值对镀速、镀层组织及形貌的影响。 结果表明:镀液 pH 值低于 8 . 5 时,无反应发生,粉体未镀上镍;pH 值为 10 ~ 11 时,粉体的增重接近理论值,XRD 图谱中的镍衍射峰较强,镀层完全覆盖基体;pH 值高于 11 时,随着 pH 值的升高,气体生成越发明显,反应速度明显加快,镀 ...
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合金粉. 镍基合金粉末是 市面上用量较广的一种 合金粉 、其主要用于钢件的、耐磨、防腐、防锈等，牌号分高硬度与低硬度两个种类，高硬度耐磨防腐，低硬度修复在加工。. 中文名. 镍基合金粉末. 外文名. Nickel based alloy powder. 熔 点. 950-1050°C. 粒 形.
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2023年11月23日 2、碳化硅粉体化学改性方法. 化学改性是指利用有机物分子中的官能团与无机颗粒表面发生化学吸附或通过与颗粒表面发生化学键合反应对颗粒表面进行包覆，使颗粒表面有机化。. 根据改性的手段和效果可以将化学改性方法分为：表面酸洗提纯、表面吸附 ...
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2024年1月19日 将电子级碳化硅粉应用于电池中通常涉及以下几个步骤：. 1. 制备电极：将电子级碳化硅粉与其他电极材料（如正极材料或负极材料）混合，并加入适量的导电剂和粘合剂，以形成均匀的电极浆料。. 2. 涂覆电极：将制备好的电极浆料涂覆在电极集流体上，通常
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2022年4月24日 目前，国内碳化硅冶炼及粉体制备的数量在全世界范围内占有最高份额，主要以用于耐火材料、磨料磨具、精细陶瓷的 SiC 粉体为主。 国外公司如法国Saint-Gobain 公司、日本屋久岛电工、德国 Höganäs公司等专注于销售附加值高的用于工程陶瓷和磨料的
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